Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. На этой неделе компания Micron продемонстрировала массивные модули памяти MCR DIMM объемом 256 ГБ на конференции GPU Technology Conference (GTC), организованной Nvidia. Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой.
Samsung обещает память на 128 ГБ: скоро ли конец DDR4?
Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц.
Samsung разработал модуль памяти DDR4
За прошедшие 40 лет она увеличила ёмкость микросхем в невероятное количество раз, о чём в то время мало кто мог даже подумать. Вечерний 3DNews Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий. Материалы по теме.
Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти. Связано это как раз с использованием технологии импульсной модуляции PAM-3, повышением частоты работы чипа и, в целом, уплотнения памяти. Также неизвестно, будут ли оснащаться новой памятью новые видеокарты Radeon, но есть надежда, что GDDR7 будет использоваться в новой PS5 Pro, так как в этой консоли нам обещают значительный прирост производительности в плане графики.
Электрические управляющие импульсы «MW» и «RF» могут переключать магнитные спины ядер и электронов вверх и вниз. B и C Изображение устройства под электронным микроскопом. Изображение: Stas et al. Эта чувствительность уменьшает время их когерентности сохранения квантового состояния.
Чтобы решить эту проблему, исследователи разработали технологию передачи квантовой информации от электронов к более инертным ядерным спинам. В серии экспериментов ученые показали, что их память может работать при температуре 4 K а не 0,1 К как предыдущие системы и при этом сохранять информацию относительно долго. Авторы работы отмечают, что даже такое, казалось бы, незначительное изменение температуры, при которой работает модуль памяти, на порядок снижает затраты на охлаждение.
Модули объёмом 16 ГБ могут быть собраны в единый пакет объёмом 64 ГБ. Samsung ожидает, что новые модули будут востребованы у производителей флагманских мобильных устройств 5G, а также позволят удовлетворить возрастающий спрос на мобильную DRAM большой ёмкости.
Свежие материалы
- Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
- Информация
- SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
- TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
- Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
Релизы игр:
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- «Небинарные» чипы DDR5 позволят сократить расходы на память в серверах и ЦОД
- Навигация по записям
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
По сути это обычный модуль памяти, но с двойным набором микросхем и увеличенными габаритами. Он уже прошел сертификацию в JDEC и готов к запуску в массовое производство. Данную разработку ASUS вела не в одиночестве, к ней присоединились такие гиганты производства памяти, как G. Skill и Zadak, которые уже представили первые модули.
Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой. Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах.
Стоит отметить, что в последние годы развитие виртуальной реальности, алгоритмов искусственного интеллекта и больших данных генерировал невероятные объёмы данных.
Однако конкуренцию NAND составить она не могла из-за низкой плотности размещения ячеек и, соответственно, малого объема — не более 128 Мбит. Но Micron, судя по всему, эту проблему решила. Кроме того, FeRAM не боится радиации, экстремальных температур, магнитного воздействия и способно хранить данные 10 лет.
Можете написать лучше? Мы всегда рады новым авторам. Материалы по теме:.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Теперь пользователи получают возможность купить модуль с 2, 4 или 8 ГБ оперативной памяти, а флеш-памяти eMMC теперь представлена объёмом 8, 16 и 32 ГБ. Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Samsung представила первый модуль памяти на 512 ГБ, который использует интерфейс Compute Express Link (CXL).Как утверждает сама Samsung. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Однако презентация замедленного чипа объемом 2 Гб всего говорит о сырости технологии GDDR7: сами Samsung говорят, что текущие характеристики чипа позволяют получить ощутимый прирост, однако не утилизируют всех возможностей технологии. Замедленные чипы позволяют снизить количество брака на старте поколения для самих Samsung и NVIDIA, а так же отложить решение вопроса с мощным нагревом новой памяти. Связано это как раз с использованием технологии импульсной модуляции PAM-3, повышением частоты работы чипа и, в целом, уплотнения памяти. Также неизвестно, будут ли оснащаться новой памятью новые видеокарты Radeon, но есть надежда, что GDDR7 будет использоваться в новой PS5 Pro, так как в этой консоли нам обещают значительный прирост производительности в плане графики.
Новости Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 25. Все 512 ГБ памяти умещаются на одну планку. Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов.
Соединение с материнской платой и плотность контакта обеспечиваются за счет винтов, то есть монтаж и демонтаж планки в бытовых условиях возможен и должен быть не сложнее установки SSD-накопителя в форм-факторе M. Владелец сможет нарастить объем памяти при помощи замены ранее инсталлированного или добавлением очередного модуля памяти: стандарт допускает вертикальное расположение планок — одна над другой. Цифровизация Еще один весьма ощутимый бонус, который могут получить пользователи и производители устройств на базе CAMM2, — отсутствие необходимости размещения сразу двух модулей для работы двухканальном режиме, который обеспечивает повышенную пропускную способность два модуля SO-DIMM в таком случае работают параллельно и, соответственно, более высокую производительность работы центрального процессора и интегрированного графического ускорителя. В единственном модуле CAMM2 производителем может быть предусмотрена работа в двухканальном режиме. Однако это лишь опция, а не обязательная характеристика модуля такого типа.
При этом новый тип памяти обеспечивает большую пропускную способность, нежели SO-DIMM, предлагая двухканальную производительность из одного модуля. Для обозначения новых модулей памяти потребуется новое слово, так как они больше не "планки". Разумеется, именно компактность и являлась главной причиной разработки модулей CAMM. Она заменит "ступенчатую" конструкцию SO-DIMM единым двухканальным "куском" памяти, широким и плоским, так что теперь это уже не совсем "планка".
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Ранее компания анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Помимо этого, объем памяти модуля SPD увеличен в два раза — до 1024 байт. Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб.
По тегу: модуль памяти
- Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
- Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
- Информация
- Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL – Samsung Newsroom Россия
- Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит |