Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате.
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
| Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5 | Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. |
| Lenovo представила первый в мире ноутбук с модулями памяти LPCAMM2 DDR5x | Новые модули памяти T-Force и T-Create доступны к покупке уже с мая этого года. |
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Samsung также представит обновлённую версию своего программного инструментария с открытым исходным кодом, который упрощает развёртывание памяти CXL в существующих и новых системах. Стоит отметить, что в последние годы развитие виртуальной реальности, алгоритмов искусственного интеллекта и больших данных генерировал невероятные объёмы данных. И традиционные типы памяти ограничены в масштабировании.
Но, отличия всё-таки есть. Стоит отметить, что это стандартные значения для модулей DDR5 первой волны. Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения.
До этого компания могла выпускать 32-Гбит чипы только при TSV-монтаже друг на друга 16-Гбит кристаллов. Выпуск «цельных» 32-Гбит чипов DDR5 в одинаковом корпусе с 16-Гбит микросхемами снизит потребление и откроет путь к перспективным 1-Тбайт модулям памяти. Нынешний анонс не означает немедленный запуск в массовое производство 32-Гбит микросхем.
Компания обещает начать их выпуск только в конце текущего года.
Установленный производителем срок службы при условии правильной эксплуатации 70 000 часов.
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Samsung объявила о начале массового производства нового модуля памяти LPDDR5 на базе UFS (uMCP). Модуль памяти DDR5 на базе DRAM подходит для выполнения задач с интенсивным использованием данных, включая ИИ и высокопроизводительные вычисления Интерфейс CXL. Оперативная память Kingston Fury Black RGB DDR4 3600 МГц 2x8 ГБ (цена с озон картой). Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с.
IBM демонстрирует свой первый кристалл памяти типа Racetrack
На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж. Так производятся микросхемы памяти емкостью 256 Гбайт. В дальнейшем планируется начать производство восьмикристальных модулей памяти емкостью 1 Тбайт.
Новые 32 ГБ чипы памяти от Micron открывают путь к созданию стандартного 32 ГБ модуля для PC всего с восемью отдельными микросхемами памяти, а также серверного модуля на 128 ГБ на основе 32 таких чипов. Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее. Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных.
Новые чипы DDR5 должны помочь в создании модулей с меньшим шагом: 24, 48, 96 Гбайт или т. Это так называемая «небинарная» память.
При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет.
Минобороны России в пятницу собрало брифинг, на котором в присутствии представителей СМИ и военных миссий Китая и Индии был вскрыт бортовой самописец Су-24. Анализ и обработка полетной информации с самописца будет проходить в субботу, 19 декабря. Результаты расшифровки, как ожидается, будут оглашены в понедельник, 21 декабря. Российский фронтовой бомбардировщик Су-24, принимавший участие в воздушной операции против боевиков ДАИШ, был сбит с турецкого истребителя F-16 ракетой типа "воздух-воздух" над территорией Сирии 24 ноября.
Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
| Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память? | Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений. |
| Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion | Модуль памяти DDR5 DRAM позволит серверным системам значительно масштабировать объём памяти и пропускную способность, ускоряя рабочие нагрузки. |
| Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion | Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. |
| В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти | Сегодня, 25 марта 2021 года, южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового. |
Газета «Суть времени»
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
- Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
- Свежие материалы
- Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
- Комментарии
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
Южнокорейский технологический гигант представил свою последнюю DRAM LPDDR5X ранее сегодня, и это первый модуль памяти в отрасли, основанный на 14-нм техпроцессе. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Компания заявляет, что модуль памяти DDR5 объемом 128 ГБ на базе новых микросхем потребляет на 10% меньше энергии. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего.
TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Компания выпустила модуль оперативной памяти DDR5 на мероприятии HotChips 33. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Его модули на 57% тоньше, но вмещать он может только до 128 Гб памяти DDR5-4800.