МИКРОМЕТР — • МИКРОМЕТР (обозначение m или м), единица длины, равная одной миллионной части метра, которая ранее называлась микроном. Онлайн конвертер для преобразования микрон в миллиметры и обратно, калькулятор имеет высокий класс точности, историю вычислений и напишет число прописью, округлит результат до нужного значения. Произведите быстрое преобразование: 1 микрометр = 1000 нанометров, используя онлайн-калькулятор для преобразования показателей. Длина и расстояние. микрометры. Перевод микрометров (мкм) в нанометры (nm).
Единица мкм расшифровка
Микрометр является стандартной единицей измерения, в которых выражается допуск отклонений от заданного размера по ГОСТу в машиностроительном и почти в любом производстве, где требуется исключительная точность размеров. В микрометрах также измеряют длину волн инфракрасного излучения. Для лучшего представления этой единицы длины можно привести следующие примеры: длины волн видимого человеком света лежат в диапазоне от 0,38 фиолетовый цвет до 0,78 мкм красный ; диаметр эритроцита составляет 7 мкм; толщина человеческого волоса от 40 до 120 мкм.
Перевести нанометры в мм. Сколько нанометров в мм. Микрометр единица измерения. Линейные и угловые единицы измерения. Таблица Mesh в мм. Кратные и дольные единицы. Кратные и дольные приставки в физике.
Кратные единицы измерения. Нанометр микрометр миллиметр сантиметр. Нанометр размер. Микрометры перевести в нанометры. Миллиметр микрометр нанометр. НМ единица измерения. Микрон размер. Десятки сотки микроны таблица. Микрометр это сколько миллиметров.
Таблица Gauge в мм. Микронных размеров это. Таблица 1мм в микроны. Таблица микронов в миллиметре. Микрометры перевести в мм. Размер сетки Mesh 20. Размеры ячейки 200 Mesh. Пленка полиэтиленовая 200 мкм вес 1 м2. Вес 1 м2 пленки полиэтиленовой 200 мкр.
Вес пленки 200 микрон. Пленка 200 микрон 100 метров вес. API 100 микрон 147 в меш. Размер нанометра. Толщина 120 микрон в мм. Таблица толщин в мкм. Толщина мкм это. Перевести в мкм. Единицы измерения мкм в мм.
Сотки в микрометре.
Как перевести метры в мкм? Что такое 5 мкм? Микрон — это единица измерения, равная 0,001 миллиметра. Выделяют следующие виды картриджей: 1 микрон мкм , 5 микрон мкм , 10 микрон мкм , 20 микрон мкм , 50 микрон мкм , 100 микрон мкм. Сколько мкм в 0 1 мм?
И это только для классических, одноуровневых микросхем, тогда как существенно многослойные СБИС вроде актуальных чипов флеш-памяти 3D NAND могут содержать под 200, а то и больше уровней полнофункциональных транзисторных ячеек. Межсоединения транзисторов через эти слои образуют функциональные элементы например, схему «И-НЕ» , а из тех, в свою очередь, формируются более крупные структуры например, арифметический сумматор. Ещё два металлических слоя, ТМ0 и ТМ1 последний на фото не показан обеспечивают выход на процессорные контакты и коммуникации ЦП с системной логикой источник: Intel Здесь стоит на время отвлечься от поиска физического смысла в маркетинговых обозначениях нанометров для технологических процессов и задаться не менее важным вопросом: почему на протяжении десятков лет чипмейкеры вкладывают десятки и сотни миллиардов долларов в непрерывную миниатюризацию технологических норм? Ведь сам по себе переход от одного техпроцесса к другому вовсе не гарантирует немедленного прироста абсолютной производительности ЦП. В то же время поступательное сокращение технологических норм — удовольствие недешёвое. Чего ради городить столь недешёвый огород? Когда в 1965 г. Гордон Мур, в то время директор по НИОКР в компании Fairchild Semiconductor, формулировал своё знаменитое эмпирическое правило, известное ныне как «закон Мура», он прямо указывал : «Себестоимость полупроводникового элемента с немалой точностью обратно пропорциональна количеству компонентов на СБИС». Обезоруживающая в своей непосредственности диаграмма из регулярного доклада ITRS, наглядно демонстрирующая, как именно самосбывается пророчество Гордона Мура: новые инвестиции позволяют находить новые способы миниатюризации процессоров, новые ЦП обеспечивают прирост в производительности на каждый потраченный на них доллар, рынок для основанных на этих ЦП устройств расширяется, что обеспечивает дополнительный приток инвестиций — и всё повторяется снова источник: ITRS Иными словами, если примерно каждые два года удваивать число транзисторов на серийной микросхеме, себестоимость такого чипа для производителя будет оставаться примерно на прежнем уровне — тогда как продавать его по вполне объективным причинам можно будет значительно дороже. И никакого обмана клиентов: больше транзисторов на СБИС — больше операций в секунду для ЦП и ГП , выше плотность хранения данных для флеш-памяти , да ещё и энергоэффективность значительно лучше прежней, поскольку меньшие по габаритам полупроводниковые элементы не нуждаются в высоком напряжении. Поразительная ситуация: в выигрыше остаются все! Разработчики чипов, изготовители микросхем, поставщики оборудования для этой индустрии, программисты всех мастей, дистрибьюторы и продавцы — а в итоге ещё и конечные пользователи, которым всё это великолепие включая новое ПО, запускать которое на прежнем «железе» было бы нецелесообразно достаётся. Наглядное представление «закона Мура»: по горизонтали — годы, по вертикали — число транзисторов на кристалле ЦП логарифмическая шкала , каждая точка — тот или иной процессор источник: OurWorldInData Каждый новый этап технологического прогресса в микроэлектронике одних обогащает, другим предоставляет ещё более обширные возможности, третьим просто позволяет заниматься любимым делом за достойную плату. Неудивительно, что за последние полвека с лишним цифровизация всего и вся развивалась настолько бурно: чем больше потенциальных сфер применения вычислительной техники, тем шире рынок сбыта микросхем — и тем выгоднее всем причастным к их разработке, производству, продаже и применению, чтобы закон Мура продолжал соблюдаться. Фактически сложились все предпосылки для превращения подмеченной Гордоном Муром эмпирической закономерности в самосбывающееся пророчество : в середине 1960-х раз в год, а примерно через десять лет уже раз в два года число транзисторов на наиболее передовых на данный момент микросхемах непременно должно было удваиваться. Это оказалось настолько экономически оправданно, что под «закон Мура» верстались планы расширения полупроводниковых производств и оборудования для них, планировались сроки выпуска новых чипов и устанавливались целевые показатели для отделов продаж. Ещё один взгляд на «закон Мура»: особенно хорошо видно, как на фоне по-прежнему довольно уверенно растущего числа транзисторов с середины первого десятилетия 2000-х выходят на плато и рабочая тактовая частота, и потребляемая мощность ЦП, а количество приобретаемых на доллар транзисторов график на врезке и вовсе начало падать с 2014 года источник: ARTIS Ventures Увы, начиная со сравнительно недавних пор в свои права начала вступать физика: габариты отдельных транзисторов слишком опасно приблизились к пределу, отделяющему привычный нам макромир от области действия квантовых эффектов, которая подчиняется совсем иным законам. Примерно в 2012 году перестал расти важнейший для всей ИТ-отрасли экономический показатель — количество транзисторов в составе актуального на данный момент чипа , которые можно приобрести на один доллар, а ещё в начале 2000-х фактически на плато вышли предельно достижимые тактовые частоты процессоров и их теплопакеты под регулярной нагрузкой. Если принять размер передового в каждом поколении ЦП за постоянную величину, то удвоение числа транзисторов на этом чипе — допустим, их там равное количество по горизонтали и по вертикали — будет соответствовать уменьшению характерных размеров каждого из них примерно в 0,7 раза обратная величина к квадратному корню из двух. Самосбывающееся пророчество в действии: неумолимая поступь «закона Мура» подчиняется правилу 0,7 — по крайней мере должна подчиняться, чтобы снова и снова обеспечивать возобновление инвестиционного цикла источник: WikiChip Собственно, вот почему числовой ряд наименований технологических норм имеет в последние десятилетия именно такой вид : 90 нм — 65 нм — 45 нм — 32 нм — 22 нм — 15 нм… Сперва, где-то до конца 1990-х, производственные процессы в микроэлектронике действительно именовались в соответствии с физическими размерами минимального по габаритам полупроводникового элемента, который по этому процессу мог быть изготовлен. А именно — по протяжённости затвора gate полевого транзистора. Интересно, что в 1997 году Intel сознательно пошла на формальное увеличение декларируемого номинала техпроцесса по сравнению с реальными габаритами получаемых с его применением полупроводниковых устройств. Следующая производственная норма, «180 нм», также давала возможность получать транзисторы с меньшей длиной затвора — 0,13 мкм. Схема работы полевого транзистора.
Что меньше микрометра?
Мкм это микрометр или микрон. Микрометр миллиметр сантиметр. В одном микроне содержится 1000 нанометров. это нанометр, что эквивалентно одной тысячной микрометра или одной миллиардной доли метра (0,000000001 м).
Перевести микрометры в нанометры
| Что меньше микрометра? - IT-ликбез | микрометр (микрон) это сколько в километрах (км) онлайн конвертер, калькулятор. |
| МИКРОН это МИКРОметр, измерение толщины в микронах, | На этой странице представлен самый простой онлайн переводчик единиц измерения микрометры в нанометры. |
| Микрометры (мкм) - что это за единицы измерения? | Пока же только наземные наблюдения во время затмений позволяют разом изучать структуру короны от края диска до нескольких радиусов Солнца в диапазоне длин волн от 300 нм до нескольких микрометров. |
| Микрометр (микрон) в нанометр, калькулятор онлайн, конвертер | Convert micrometers to nanometers (µm to nm) with the length conversion calculator, and learn the micrometer to nanometer formula. |
| Микрометр — Карта знаний | Есть 1000 нанометров в микрометре, поэтому мы используем это значение в приведенной выше формуле. |
Единица мкм расшифровка
Mooncrown 28 апр. Тому вони зникают... Belka5050505 28 апр. Yjfjgfthftjf 28 апр. При полном или частичном использовании материалов ссылка обязательна.
Нанометр часто ассоциируется с областью нанотехнологий и с длиной волны видимого света. Это одна из наиболее часто используемых единиц измерения малых длин. Нанометр также наиболее часто используется в описании технологий полупроводникового производства.
Нанометр равен 10 ангстремам ангстрем — устаревшая единица измерения, не входящая в систему СИ.
Что меньше мкм или нм? Согласно международной системе мер и весов в 1 микрометре 1000 нанометров. Следовательно микрометр больше нанометра. Микрометр больше нанометра в 1000 раз. На этой странице представлен подробный ответ на вопрос что больше мкм или нм микрометр или нанометр.
Исторические и современные системы измерения Российская система измерения длины, восходящая к разным эпохам и культурам, отличается от традиционных систем, используемых в других странах. Наш конвертер поможет вам легко адаптироваться к любой из них, будь то японская, британская, американская или любая другая система. Один клик — и вы знаете ответ Хотите узнать сколько в одном 1 километре метров?
Теперь это сделать легко с помощью нашего калькулятора величин онлайн. Мы предоставляем вам удобную историю измерений. Просто выбирайте величену 1 и величину 2, получите результат за несколько секунд. Не забывайте, что наш сайт предлагает иные калькуляторы:.
Микрометры в нанометры перевод
Микроны в Микрометры таблица. Микроны в Микрометры. Начало. Приращения. Длина и расстояние. микрометры. Перевод микрометров (мкм) в нанометры (nm). Микроны в Микрометры таблица. Микроны в Микрометры. Начало. Приращения. Эти сферы имеют диаметр менее 100 нанометров — примерно одну двадцатую микрометра — и движутся со скоростью до 300 метров в секунду. К примеру, чтобы узнать сколько в 1 микрометре нанометров, введите в первое поле калькулятора «микрометр (мкм)» необходимое значение, результат конвертации появится в поле «нанометр (нм)» сразу после ввода.
Что такое Um в измерении?
Онлайн конвертер для преобразования микрон в миллиметры и обратно, калькулятор имеет высокий класс точности, историю вычислений и напишет число прописью, округлит результат до нужного значения. Конвертер мкм в мм для перевода микрометров (микронов) в миллиметры и обратно. Нанометр (нм) равен В 1000 раз меньше микрометра. Как настроить МИКРОМЕТР выставить на ноль, регулировка, калибровка МИКРОМЕТРА. Есть 1000 нанометров в микрометре, поэтому мы используем это значение в приведенной выше формуле. нанометр (нм) - ангстрем (А) - пикометр (пк) - икс-единица -фемтометр или ферми (фм).
Российская микроэлектроника перейдет на топологию 28 нм. Много это или мало?
| Что такое Um в измерении? — Школа ремонта | Онлайн конвертер для перевода микрометров (микрон мкм) в миллиметры, микрометры в миллиметры (мм), микроны в сантиметры (см), микроны в нанометры (нм), микрон в ангстрем (А) и любые другие единицы измерения длины. |
| Преобразовать мкм в нм (микрометр в нанометр) | Как настроить МИКРОМЕТР выставить на ноль, регулировка, калибровка МИКРОМЕТРА. |
| Перевод нм в мкм | Конвертировать из Микрометров в Нанометров. |
| Сколько находится в 1 нанометре микрометр (микрон) - Универ soloBY | 1 Микрометр (микрон) равно 1 000 Нанометров. |
Популярные конвертеры
- Мкм в нм - фотоподборка
- Перевести мкм в нм и обратно
- Сколько нанометров содержится в 1 микрометре?
- Micrometers to Nanometers Converter
Микроны в Миллиметры
- Из Википедии — свободной энциклопедии
- Преобразовать микрометр в нанометр (мкм в нм):
- Вы переводите единицы длина из микрометр в нанометр
- Конвертация
- Перевод величин: Микрометр (микрон) → Нанометр (нм), Метрическая мера
- Российская микроэлектроника перейдет на топологию 28 нм. Много это или мало? - CNews
Как конвертировать Микроны до Нм
- Конвертер микрометров в нанометры (мкм в нм)
- Удивительный «наномир» внутри смартфона - Deep-Review
- Мкм в нм - фотоподборка
- Микроны в миллиметры
- Удивительный «наномир» внутри смартфона
- Перевод микрометров в нанометры
Мкм в нм - фотоподборка
Какая единица самая маленькая? Зептосекунда составляет триллионную миллиардную долю секунды. Это десятичная точка, за которой следуют 20 нулей и 1, и это выглядит так: 0,000 000 000 000 000 000 001. Какой метр самый маленький? Наименьшая длина с любым значением - это Планковская длина около 1,6 х 10-35 метр Мм больше, чем см? Миллиметр - это единица длины, равная одной тысячной метра, а сантиметр - это единица длины, равная одной сотой метра.
В этих единицах также выражается длина волн инфракрасного излучения. Для лучшего представления этой единицы длины можно привести следующие примеры: длины волн видимого человеком света лежат в диапазоне от 0,38 фиолетовый цвет до 0,78 мкм красный [4] ; диаметр эритроцита составляет 7 мкм [5] ; толщина человеческого волоса — от 40 до 120 мкм [6].
Расстояние между атомами углерода в алмазе равно 0,154 нм. Данные на компакт-дисках записываются в виде углублений по-английски такое углубление называется pit , имеющих размеры: 100 нм глубины и 500 нм ширины.
Современные передовые технологии производства микросхем оперируют с элементами размером 14—22 нм, переходят на элементы 10 нм и планируют уменьшить их в будущем до 5 нм.
Парусник проходит под мостом Золотые Ворота. Максимальная высота проходящего под ним судна может быть до 67,1 метра или 220 футов во время прилива. Расстояние в навигации В судоходстве используют морские мили.
Одна морская миля равна 1852 метрам. Это облегчало вычисления широты, так как 60 морских миль равнялись одному градусу широты. Когда расстояние измеряется в морских милях, скорость часто измеряют в морских узлах. Один морской узел равен скорости движения в одну морскую милю в час. Расстояние в астрономии В астрономии измеряют большие расстояния, поэтому для облегчения вычислений приняты специальные величины.
Сотки микроны
Если web-страницы будут загружаться не условных 5 секунд, а порядка 1 минуты, можете сами посчитать, на сколько это снизит производительность рабочего процесса Разработчикам ПО придётся ждать сборку своих проектов на порядок дольше. Что соответствующе увеличит сроки разработки Пострадают все пользователи сложного специализированного, инженерного, математического ПО, программ 3D-моделирования и т. Современные соцсети, видео, онлайн конференции станут малопригодными к использованию хотя в этом кто-то увидит определённые плюсы Собственно, практически любые действия, которые раньше занимали незаметные 2-3 секунды на компьютере, теперь будут исполняться десятки секунд, или даже минуты Сервера: Здесь ситуация ещё более критическая: Базы данных снизят свою производительность на порядок, что как минимум потребует пропорционально увеличить количество используемых машин Аналогичная ситуация для всего хостинга сайтов, видео, аудио и т. Собственно, цифры роста производительности для решений от Nvidia выше, как раз во многом и есть отображение прогресса в данных отраслях. Несложно догадаться, к чему приведёт такая ситуация на длинной дистанции. Отставание в нанометрах можно нивелировать оптимизацией софта. Ведь у нас самые лучшие программисты в мире!
Они этим и займутся. Этот забавный аргумент мне доводилось слышать из уст даже вполне себе технических специалистов, которых сложно заподозрить в предвзятости. Во-первых, данный аргумент страдает очевидным логическим изъяном — если вы смогли оптимизировать ПО для медленного процессора на толстых нанометрах, вполне очевидно, что данный софт также станет работать быстрее и на более современном процессоре. Безусловно, есть сложные микроархитектурные особенности чипов, которые позволяют данному правилу иногда не соблюдаться, но это как раз те самые исключения, которые подтверждают правило. Во-вторых, те участки кода, которые активно работают на железе и занимают основную долю процессорной нагрузки — как раз в основном оптимизированы очень хорошо. Улучшить там что-то даже на проценты — уже задача не из лёгких.
Аналогичная ситуация для основополагающего для современной ИТ-инфраструктуры ПО в виде операционных систем, компиляторов, баз данных, виртуальных машин, различного рода серверных движков, работающих в крупных датацентрах — это ПО оптимизировалось годами самыми топовыми экспертами в данных областях.
Ira17357132 28 апр. Mooncrown 28 апр. Тому вони зникают...
Belka5050505 28 апр. Yjfjgfthftjf 28 апр. При полном или частичном использовании материалов ссылка обязательна.
Представительный совет экспертов по СБИС включавший представителей региональных ассоциаций полупроводниковой индустрии — японской, американской, европейской, тайваньской, южнокорейской и китайской материковой до 2015 года регулярно обновлял своего рода руководство — точнее, свод рекомендаций — по развитию полупроводниковой технологии, The International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS. В последнем издании этого свода явно указывается на чисто маркетинговый характер наименования технологических норм: в таблице с прогнозами по развитию логических СБИС до 2030 г. Выдержка из таблицы с прогнозами электрических характеристик грядущих процессоров, опубликованной в регулярном докладе ITRS за 2015 г. Физический смысл в таком определении прослеживается: для СБИС в целом важны не сами по себе габариты отдельных её элементов, а возможность уверенно разделять проводники дорожки и полупроводники транзисторы , чтобы те и другие исправно работали должным образом. Исходный смысл определения масштаба производственной нормы как половинной ширины зазора между соседними металлическими дорожками на самом нижнем уровне чипа перечёркнутые прямоугольники обозначают контакты, соединяющие данный слой с вышележащими прост и очевиден источник: WikiChip Однако уже начиная с техпроцесса 45 нм, внедрённого в 2007 году, с физическим смыслом пришлось распрощаться. Именно тогда инженеры Intel создали традиционный планарный транзистор с длиной затвора 25 нм — а дальше, как выяснилось, уменьшать этот габарит не представляется возможным. Если не переходить от кремния к другим полупроводникам, конечно, — но это означает коренную перестройку всей микропроцессорной индустрии, на что пока ни решимости, ни денег у крупных игроков определённо нет. Всё дело в физике: чтобы полупроводниковый прибор работал как должно, необходимо не допускать электрического пробоя его затвора в закрытом состоянии. По целой совокупности причин для основанного на кремнии даже с рядом улучшающих его свойства присадок полупроводника невозможно более, чем это было достигнуто в 45-нм техпроцессе, снижать рабочее напряжение, сокращать длину затвора и наращивать концентрацию примесей, препятствующих самопроизвольному прохождению заряда через канал пробою. В результате длина активного канала транзистор работает — правая картинка становится меньше физического расстояния между границами истока и стока из-за образования вокруг них зон, обеднённых depletion отрицательными зарядами, поскольку напряжение к затвору прикладывается положительное. Если расстояние от истока до стока слишком мало, зоны обеднения смыкаются — происходит пробой базы источник: LearningChips Если не вдаваться в электротехнические детали, то у полевых транзисторов, на которых основана вся современная кремниевая микроэлектроника, эффективная длина канала меньше, чем физическое расстояние между истоком и стоком заряда. То есть хотя канал изготовленного на фотолитографе транзистора действительно простирается на честные 25 нм, на деле при активации затвора электроны проходят значительно меньшее расстояние — в основном из-за диффузии примесей , формирующих исток и сток на поверхности кремниевой пластины, в толщу последней. Иными словами, после фактического достижения длины канала в 25 нм на этапе 45-нм техпроцесса номенклатура техпроцессов по ITRS перестала соответствовать половинной ширине зазора между контактными дорожками — и маркетинговое наименование последующей технологической нормы, начиная с «32 нм», получалось простым умножением предыдущего на 0,7 с округлением. Главные габариты «7-нм» транзистора TSMC: высота гребня Hfin — 52 нм, ширина гребня Wfin , длина затвора Lg — 16,5 нм источник: WikiChip На этапе «22 нм» всё стало ещё интереснее: тогда, в 2012-м, Intel впервые применила трёхмерные транзисторы FinFET с каналами-гребнями, или плавниками. Вот почему после 2012-го название производственной нормы в микроэлектронике, по сути, не имеет уже реальной связи с какими бы то ни было физическими размерами отдельных элементов на поверхности полупроводникового кристалла. Более-менее выдерживается темп внедрения новых техпроцессов — правда, за последние годы он по объективным причинам несколько отстаёт от заявленной в «законе Мура» одной пересменки в два года. Примерно сохраняется и курс на удвоение числа транзисторов в новейших микросхемах, а маркетинговое название очередной новой нормы получается путём безыскусного умножения наименования предыдущей на 0,7. Структуры FinFET-транзисторов с характерными гребнями минимальная длина канала — там, где гребни пересекаются с затворами, — составляет, согласно официальной спецификации, 25 нм на поверхности «22-нм» кристалла Intel Sandy Bridge источник: Intel «Раньше это было обозначение технологического этапа, это имело какой-то смысл, имело отношение к чему-то реально существующему на поверхности пластины. Сегодня числа — это просто числа. Как, знаете, марки автомобилей: есть BMW пятой серии или Mazda 6 — какой смысл в этих пятёрке и шестёрке? Неважно, чему соответствует название производственной нормы сейчас, это просто очередная веха в развитии технологий, её наименование, если хотите. Так что давайте не будем сами себя вводить в заблуждение и пытаться напрямую сопоставлять названия техпроцессов с теми физическими характеристиками полупроводниковых приборов, которые они позволяют получать». Такой совет ещё в 2019 г. Филип Вонг Philip Wong , вице-президент TSMC по корпоративным исследованиям, давал собравшимся на 31-ю конференцию Hot Chips, одну из наиболее представительных площадок для дискуссий между представителями мировой микропроцессорной индустрии.
Теперь ясно, почему Intel стабильно показывала завидную прибыль, а AMD в начале 2010-х едва держалась на ногах, даже избавившись от своих фабрик и перейдя на бесфабричное производство модель fabless. По докладам на IEDM можно составить сводную таблицу с параметрами техпроцессов ведущих компаний, актуальных на момент «перелома мышления» — около 2010 г. Из нее видно, что все техпроцессы с «мелкой» технормой process node перешли на двойное формирование DP, double patterning — позволяет изготовить структуры вдвое меньше предельного размера за счет удвоенного числа экспозиций и масок для них и иммерсионную литографию использование оптически плотной жидкости вместо воздуха в рабочей зоне литографа , а напряжение питания Vdd давно остановилось на 1 вольте потребление транзистором энергии и без этого продолжает падать, но не так быстро. Дело в том, что сообщаемые на IEDM цифры площади тоже являются несколько рекламными. Они верны лишь для одиночного массива ячеек и не учитывают усилители, коммутаторы битовых линий, буферы ввода-вывода, декодеры адреса и размены плотности на скорость для L1. Для простоты возьмем только «скоростные» High Performance процессы Intel. Тем не менее, шаг затвора уменьшился в те же 4 раза, что и технорма. На техпроцессе 65 нм фактический минимальный размер затвора может быть снижен до 25 нм, но шаг между затворами может превышать 130 нм, а минимальный шаг металлической дорожки — 180 нм. Вот тут и видно, что начиная примерно с 2002 г. Выражаясь простым языком, нанометры уже не те… Особенно интересно в этом плане рассмотреть хорошо уже исследованный техпроцесс Intel «22 нм», представленный в 2012 г. Вооружившись цифрами, можно проверить обещанное компанией. Для быстрой версии это эквивалентно 190 элементарным квадратам — еще чуть хуже, чем для прошлых технорм. Но Intel продолжает использовать 193-нанометровую иммерсионную литографию и для 14 нм — со все еще двойным формированием. А для 10 нм которые Intel уже шесть лет пытается довести до ума — экспозиций и масок уже от трех до пяти не считая скругления вставок. Ведь цифры теперь мало что значат… Как сказал Паоло Гарджини Paolo Gargini — ветеран Intel и пожизненный член IEEE : число нанометров промышленной технормы «к этому времени уже не имеет совершенно никакого значения, так как не обозначает размер чего-либо, что можно найти на кристалле и что относится к вашей работе». Скажем, в новейших техпроцессах «7 нм» Samsung и TSMC на кристалле нет ничего, что было бы настолько малым. Например, длина затворов там — 15 нм. Другая проблема, возникающая в этой связи — стоимость каждого транзистора. Все предыдущие 60 лет развития микроэлектроники основывались на уверенности в том, что даже несмотря на постоянное увеличение цены заводов и разработки техпроцессов и чипов цена самих чипов в пересчете на транзистор будет все время уменьшаться. Так и происходило — примерно до 32 нм, после которых наступил раскол: микросхемы памяти продолжили дешеветь на единицу объема особенно это коснулось флэш-памяти, которая массово перешла на объемное хранение данных на десятках уровней — технология 3D-NAND , а вот логика сильно затормозилась. Да, последние версии техпроцессов 14 нм предлагают транзисторы все же чуть дешевле, чем у 22 нм — но именно что «чуть», и это после стольких лет возни. Да и производительность при том же потреблении энергии хоть и растет, но всё медленнее… Простейшим решением была бы перепривязка технормы к размеру не затвора, а чего-то другого, более представительного для современного транзистора. Одним числом тут не обойдешься, поэтому предложено использовать две меры длины: CPP, contacted poly gate pitch — шаг поликремниевого затвора с контактом то есть между затворами соседних транзисторов ; и MMP, metal-to-metal pitch — шаг первого уровня металлических дорожек, проходящих перпендикулярно поликремниевым линиям, нарезаемым на затворы. Причем теперь нет смысла делить оба шага на два, так как эта половина теперь менее важна.