Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом.
ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM
Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств.
Статьи на тему: Оперативная память
Samsung решила эту проблему — корпорация разработала 512-гигабайтный модуль DDR5 DRAM. Владелец сайта предпочёл скрыть описание страницы. Долгое время уровень запасов оперативной памяти стандарта DDR5 на рынке был высоким, а вот активного спроса со стороны потребителей не наблюдалось.
Micron разработала модуль неубиваемой энергонезависимой памяти FeRAM объемом 32 Гбит
Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах. Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут. Пока что новый 512-гигабайтный модуль Samsung DDR5 проходит стадию верификации.
Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов.
Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб. Старт продаж и продвижение на рынок данных модулей должно начаться с выходом материнских плат на базе чипсетов Intel Z390 и процессоров Intel Core 9-го поколения. Похожие новости из раздела:.
Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ. Память поддерживает профили Intel XMP 3.
Обсуждение (2)
- Samsung планирует 8-слойные модули памяти TSV DDR5 с общей емкостью до 512 ГБ
- Про планы и перспективы
- Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
- Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
Свежие материалы
- Про первую DDR5 для ПК
- NAND-память
- Модуль памяти DDR5 от Samsung на 1 ТБ с новым интерфейсом [ФОТО]
- TeamGroup представила модули памяти объёмом 24 ГБ и 48 ГБ
- Модуль памяти "черного ящика" Су-24 оказался поврежден
Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
В перспективе компания планирует использовать новую память в различных форматах модулей. Рассматриваются варианты с регулируемой и пониженной нагрузкой. В будущем чипы DRAM емкостью 32 Гб могут быть использованы и в других форм-факторах, например, в тех, которые соответствуют стандарту Compute Express Link.
Samsung планирует применить преимущества TSV в узлах, выполненных по технологии 30-нм и других, более современных, процессах. Новые продукты, использующие технологию 3D TSV, укрепят лидерство Samsung и его партнеров на рынке устройств хранения данных".
Наилучший результат показал 32 ГБ комплект, а небинарные незначительно отстали от него: по статистике от полутора процентов до почти пяти, тогда как по средней частоте кадров более шести. Правда, без подробной телеметрии эту разницу никто бы и не заметил. Если же настройки графики будут приближенными к реальности, например, те же ультра без апскейлеров и уже в целевой для видеокарты разрешении Quad HD, то даже с мониторингом разница в производительности будет на уровне статистической погрешности. Здесь и одноканальный режим уступает от 2 до 4 FPS наилучшим показателям, что в геймплее вообще незаметно. Несмотря на использование масштабирования, благодаря заоблачной частоте кадров загрузка видеокарты очень высокая, поэтому снова не видно существенной разницы в производительности. Так, 32 ГБ комплект снова впереди, а одноранговый 48 ГБ отстал чуть больше двурангового 96-гигабайтного. Но разница совсем незначительная, нет и 10 FPS при средней частоте обновления под 500 с очень редкими событиями за 120. Более чувствительной к режимам работы ОЗУ оказалась Cyberpunk 2077, конечно, когда настройки графики не совсем игровые, то есть Ультра пресет с FSR2 в режиме максимальной производительности для 1080p. Поэтому лишь редкие события хоть как-то реагируют на изменения в организации подсистемы ОЗУ. Однако если выключить FidelityFX Super Resolution и увеличить разрешение до актуальных 1440p, то уже и по очень редким событиям между комплектами и режимами работы ОЗУ разница составляет плюс-минус 1 FPS, что вообще никак не отражается на впечатлениях от игрового процесса. Немного огорчило что, невозможно оптимизированная под максимальную нагрузку на процессор Total War Saga: Troy, похоже, на видеокартах AMD плохо дружит с последними версиями RTSS, которые скомпилированы с использованием Visual Studio 2022. Поэтому при активном оверлее производительность в игре проседает почти вдвое. Однако предположим, что падение производительности во всех случаях одинаковое. Итоги Как говорится, «прогресс не стоит на месте», а когда не может делать полноценные шаги, все равно идет вперед хотя бы половинными. Так как полное удвоение плотности микросхем оперативной памяти до 32 Гбит планируется только в 2025 году, в этом году производители чипов представили промежуточный 24-гигабитный вариант. Теоретически можно ожидать и 12-гиговые или невероятные 192 ГБ, однако наиболее популярными должны стать именно те, что использовались в тестах, варианты комплектами на 48 и 96 ГБ. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. Учитывая постоянно растущие аппетиты программного обеспечения и игр к ОЗУ, это должно стать основным преимуществом нового поколения «оперативки». Однако такое улучшение имеет и некоторый негативный эффект — усложнение организации чипов, похоже, привело к едва заметно увеличенным внутренним задержкам. То есть даже при одинаковых базовых таймингах, по сравнению с классическими бинарными модулями, использование небинарных обычно приводит к небольшой потере производительности.
Правда, в последние 2-3 года ее потеснила компания Micron. Производимая ей память выпускалась с технологическими нормами 14,3 нм. В то же время память Samsung выходила с нормами ближе к 20 нм, с более высоким уровнем энергопотребления. Запуск оперативной памяти DDR5 с самым передовым 14-нм техпроцессом позволил снизить энергопотребление. А компания Samsung вернула себе звание технологического лидера.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY. Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC. В планах компании — выпускать новые модули памяти для использования в суперкомпьютерах, ЦОДах и серверных системах, которые поддерживают стандарт DDR5.
Начато производство «первой в мире» сверхскоростной памяти DDR5
Обычно NAND флеш потребительского класса рассчитаны на 4000 циклов записи-стирания, в то время как флеш-устройства, ориентированные на применение в больших корпоративных центрах данных, выдерживают от 50,000 до 100,000 циклов. IBM утверждает, что память типа Racetrack не имеет ограничений по числу циклов записи, поскольку «она модифицирует магнитный домен», в отличие от NAND-памяти, в которой движущиеся в процессе записи заряды, в конечном счете, приводят к деградации материала. IBM считает, что ее новая «прорывная» память могла бы привести к появлению нового типа ориентированных на обработку данных вычислений, которые позволяли бы получать доступ к массивам информации менее чем за одну миллиардную секунды. Разработка альтернативных типов энергонезависимой памяти имеет ключевое значение в связи с тем, что, по мнению некоторых специалистов, возможности дальнейшего развития NAND флеш-памяти ограничены физическими причинами. Перегородки, разделяющие на кристалле информационные биты, становятся все тоньше.
Как ожидается, в продаже новинки появятся в июле, но цены пока не сообщаются. Также неясно, будут ли модули работать на всех платах или им потребуются определённые модели.
Они предлагаются покупателям в Китае, причем сразу комплектами по два модуля в каждом.
Стоимость комплекта зависит от того, есть подсветка RGB или нет — варианты с подсветкой, само собой, дороже.
Новинка позволит расширить пропускную способность и возможности масштабирования оперативной памяти серверов, что особенно важно при выполнении высокопроизводительных вычислений и приложений категории искусственного интеллекта в центрах обработки данных. Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году. Вторая версия спецификации CXL 2.
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время
Речевой самописец разбившегося в Индонезии российского самолета Sukhoi SuperJet-100 (SSJ-100) сильно поврежден, но модуль памяти цел, сообщили агентству ПРАЙМ в среду в. Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Предалагаем Вашему вниманию акцию на Оригианальные Восстановленные модули памяти по привлекательным ценам. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб.
Microsoft добавляет рекламу в меню «Пуск» в Windows 11.
- Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
- SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL | Новости | КомпьютерПресс
- Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
- Статьи на тему: Оперативная память