Компания заявила о завершении работ над первым в мире модулем памяти DDR5 на 512 ГБ. Многокристальный модуль памяти, представляющий пространственную сборку уровней с бескорпусными микросхемами на полимерных основаниях, защищенных компаундом. Компания ADATA представила новые быстрые модули памяти XPG SPECTRIX D50 DDR4 RGB, чья рабочая частота достигает 4800 МГц при максимальном.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. На HotChips 33 компания Samsung подтвердила, что разрабатывает модуль памяти DDR5 с модулями TSV с 8 стеками, что вдвое пр.
Статьи на тему: Оперативная память
| Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM | Плата расширения с 512 ГБ оперативной памяти, имеющей пропускную способность до 1,1 ТБ/с, призвана существенно повысить производительность. |
| Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ | Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. |
| Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память? | Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках. |
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Модуль уже успешно протестирован на серверных платформах Intel. Свою готовность сотрудничать с Samsung в этом направлении выразила и компания AMD. Исследование памяти является критически важным элементом для достижения этой производительности, и мы рады работать с Samsung над предоставлением передовой технологии межсоединений нашим клиентам в центрах обработки данных», — говорит старший вице-президент и генеральный менеджер серверного бизнес-подразделения AMD Дэн Макнамара.
Новости Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 25. Все 512 ГБ памяти умещаются на одну планку. Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов.
Как отмечается, «конкурентом» выступил NVMe-накопитель Intel 905p. В CrystalDiskMark 7 данные выглядели так: Отметим, что это был прототип. То есть релизные версии памяти покажут ещё более впечатляющие результаты.
Стоит отметить, что это стандартные значения для модулей DDR5 первой волны. Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения. Помимо этого, в модули встроены контроллеры питания для снижения потерь тока и помех.
NAND-память
В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. На фото видно, что модуль SO-DIMM имеет больше микросхем памяти и обладает ёмкостью 32 Гб. Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. Например, процессоры IBM соответствующего поколения работали с интегрированным контроллером памяти, однако модули памяти к нему напрямую не подключались.
Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти
Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. Непревзойденное соотношение цены и качества, модули памяти Viper Venom — настоящее и будущее стандарта DDR5. В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений.
Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт
SТ1 SТ2 4. М10 8. М12 9. М22 10. ЭЭГ-7 12. О-4 ПЗУ2 3. Б1, АОШ-6.
Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов. Именно эти показатели важны для использования в дата-центрах. Южнокорейский гигант утверждает, что другие производители такую память сейчас выпускать не могут.
Это высокопроизводительный и энергоэффективный модуль памяти типа DDR4 SDRAM для ответственных высокоскоростных применений, требующих повышенной надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, организованный из 8 банков емкостью 32 Мегаслова по 32 бита каждый.
Цоколевка модуля соответствует индустриальным стандартам расположения и шага выводов.
Его развитием занимается одноименный консорциум, созданный в 2019 году. Вторая версия спецификации CXL 2. Главные достоинства CXL по сравнению с ныне применяемыми решениями — заметное увеличение пропускной способности оперативной памяти, возможности ее масштабирования до терабайтного уровня и малая задержка при передаче данных между процессором и графическими ускорителями, интеллектуальными устройствами ввода-вывода и др.
Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
- Быстродействующие модули памяти для оптических компьютеров будущего | Пикабу
- Компания Samsung представила первый в отрасли модуль памяти с интерфейсом CXL
- Про первую DDR5 для ПК
- Samsung выпустила модуль оперативной памяти на 512 гигабайт: Гаджеты: Наука и техника:
- Небинарная DDR5 в комплектах 48 и 96 ГБ: как работает такая оперативная память?
- Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
Samsung представила первый в мире модуль памяти нового типа на 512 ГБ
Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Так и случилось, оперативная память DDR5 для массового настольного сегмента будет выпускаться в виде модулей объёмом 16 и 32 ГБ. — Модули Samsung RDIMM класса 40-нм являются первыми из серии улучшенных экологичных модулей памяти Green Memory.
Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
Компания Samsung объявила о выпуске первого в данной отрасли модуля памяти (DRAM), в котором используется новый стандарт CXL (Compute Express Link) Interconnect. Коллеги с сайта Serve The Home раздобыли образец модуля памяти Intel Optane DC объёмом 128 ГБ, и разобрали его перед камерой для знакомства с компоновкой. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Производитель микросхем памяти показал готовый модуль LPCAMM2, который значительно меньше традиционных модулей SO-DIMM, используемых сейчас в ноутбуках.