Это съемный энергоэффективный модуль памяти, который Samsung назвала «первым в отрасли» и который должен появиться на платформах Intel в 2024 году. Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. Страница посвящена оперативной памяти, включая новости, стандарты и технологии.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Samsung планирует представить чипы памяти DDR5 объемом 32 ГБ в начале 2023 года и модули памяти объемом 1 ТБ в 2024 году. Компания «Звезда» разработала и запустила серийное производство отечественных модулей оперативной памяти DDR4 3200МГц.
Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд
Новости Samsung представила 512-гигабайтный модуль памяти DDR5 25. Все 512 ГБ памяти умещаются на одну планку. Она предполагает замену микроскопических кремниевых изоляционных элементов элементами из других материалов.
Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ. Память поддерживает профили Intel XMP 3. Модули поддерживают напряжение от 1,1 до 1,35 В.
Питание модуля осуществляется от однополярного источника напряжением 1,2 В.
Ответ на: комментарий от greenman 27. Издание конечно авторитетное и вроде как немецкое, но вот эти интонации напоминают новую или медузу: А вот что реально удивляет, так это тот почти уже энтузиазм, с которым лично Ангела Меркель в разгар предвыборной борьбы взялась за продвижение именно российского госкапитала на немецкий рынок. Весьма показательной в этой связи была ее недавняя встреча с российским президентом Дмитрием Медведевым в Сочи.
Там обсуждались возможные продажи: автостроителя Opel консорциуму с участием государственного Сбербанка, верфей Wadan инвесторам, за которыми вроде бы стоит государственный Газпром, и неплатежеспособного производителя микрочипов Qimonda близкой к государству АФК «Система».
SMART представила первый серверный модуль памяти стандарта CXL
В ряде моделей применяется 3D MLC-память — более надежная с точки зрения ресурса и количества циклов перезаписи, которая пользуется спросом у российских производителей компьютеров, систем видеонаблюдения и других решений, где требуется повышенная надежность. GS NanotechРазработка, корпусирование и тестирование микроэлектронной продукции.
Согласно пресс-релизу Samsung, новинка была создана для обработки огромных объёмов данных, когда несколько процессоров работают параллельно. Samsung также разработала ряд технологий для контроллеров и программного обеспечения. Они позволят процессорам и видеокартам распознавать новый тип памяти и использовать её в качестве основной.
Эту частоту будут поддерживать грядущие процессоры 12-го поколения Intel Core "Alder Lake", выход которых ожидается в конце этого года. Кроме того, DDR5 будет работать на более низких напряжениях и сможет использоваться в больших объемах по сравнению с DDR4. Новые серийные модули Netac и Jiahe Jinwei будут иметь объем 32 ГБ на модуль с таймингами 40-40-40 и номинальным напряжением 1. Мы также получили первые фотографии, где можно видеть цепи питания модуля DDR5.
В Samsung полагают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 годам. В июле стало известно , что компания ZTE готовит смартфон с рекордным объемом памяти. Аппарат должен выйти с оперативной памятью емкостью 20 гигабайт.
Samsung разработала первый в мире модуль памяти DDR5 на 512 ГБ. Почему это круто?
Новости Samsung Electronics выпустила первые чипы флэш-памяти типа NAND емкостью 4 Гбит по 70-нанометровой технологии. В модулях памяти DDR5 использует эквализацию обратной связи по принятию решений (DFE) для обеспечения стабильной и надежной целостности сигнала в модуле. Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. Также, по данным источника, данные модули памяти будут поддерживать рабочее напряжение 1,1 В, а базовая частота составит 7200 МГц.
Память нового поколения: какая она
| Telegram: Contact @F_S_C_P | Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. |
| Статьи на тему: Оперативная память | Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. |
| Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти | Недавно о начале запуска массового потребления модулей памяти LPDDR5 заявила также Samsung. |
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Эту частоту будут поддерживать грядущие процессоры 12-го поколения Intel Core "Alder Lake", выход которых ожидается в конце этого года. Кроме того, DDR5 будет работать на более низких напряжениях и сможет использоваться в больших объемах по сравнению с DDR4. Новые серийные модули Netac и Jiahe Jinwei будут иметь объем 32 ГБ на модуль с таймингами 40-40-40 и номинальным напряжением 1. Мы также получили первые фотографии, где можно видеть цепи питания модуля DDR5.
В процессе производства на мощностях завода в Калининградской области осуществляется утонение и резка кремниевых пластин диаметром до 300 мм, корпусирование кристаллов и тестирование готовой продукции по стандартам JEDEC. На данный момент это максимально возможный уровень локализации производства NAND Flash-памяти в нашей стране. На заводе GS Nanotech в один корпус микросхемы могут устанавливать до четырех кристаллов памяти по технологии Stack-Die многоярусный монтаж.
Семенов связал повреждения "черного ящика" с воздействием турецкой ракеты и ударом сбитого самолета о землю. Он пояснил, бортовой самописец обычно располагается в районе вертикального оперения килей в задней части самолета, а ракета турецкого истребителя F-16 поразила именно хвостовую часть бомбардировщика. Минобороны России в пятницу собрало брифинг, на котором в присутствии представителей СМИ и военных миссий Китая и Индии был вскрыт бортовой самописец Су-24. Анализ и обработка полетной информации с самописца будет проходить в субботу, 19 декабря.
Кремниевые кольцевые микрорезонаторы выполнены по широко распространенной технологии изготовления компонентов для полупроводниковых приборов — кремний на изоляторе. Для переключения выходного состояния используются оптические импульсы различной интенсивности: низкая кодирует «0», высокая — «1». Таким образом записывается информация. Результаты экспериментов, изложенные в статье в научном журнале Optics Communications, показали, что система может находиться в таком состоянии до следующего информационного сигнала.
Комментарии
- Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ - Shazoo
- Samsung разработал модуль памяти DDR4
- «Подарок» от Dell
- Microsoft добавляет рекламу в меню «Пуск» в Windows 11.
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- ADATA показала модули памяти CAMM, CXL и MR-DIMM — i2HARD
Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
Размер рынка энергонезависимых модулей с двойной встроенной памятью (NVDIMM) будет регистрировать прибыль с 2023 по 2032 год из-за растущей зависимости от цифровых. Массовое производство потребительских модулей памяти DDR5 стартует в ближайшее время. Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. 24 марта Новости. На конференции по технологиям NVIDIA GPU Technology Conference (GTC), Micron представила огромные модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 емкостью 256 ГБ. Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК.
Чип SPD на модулях памяти обновят впервые за 20 лет
Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. Безусловно, небинарная оперативная память позволит получить больший ее объем в системе, используя такое же количество слотов и соответственно модулей. Рынок памяти DRAM всколыхнула новость из Китая. Компания Xi'an UnilC Semiconductors создала свой первый модуль памяти DDR4, который на 100% произведен в Китае. Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. Модули памяти нового формата были представлены всего через пять месяцев после того, как компания заявила о старте массового производства памяти LPDDR4X объемом 12 Гб.
Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
| Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд | Представив осенью прошлого года модуль памяти DDR5 емкостью 24 Гб. |
| Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM | Компания MMY объявила о расширении своей линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ. |
Samsung представила первый в мире модуль памяти DDR5
- Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ
- В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
- Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion
- Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
Свежие материалы
- Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5
- CAMM2 становится стандартом
- Telegram: Contact @F_S_C_P
- Micron запустила производство модулей памяти DDR5 на 128 ГБ
- Свежие материалы
Raspberry Pi выпустила «прокачанные» модули Compute Module 4S с большим объёмом ОЗУ
| Серверные модули памяти от MMY | Память SO-DIMM в конечном счете будет вытеснена модулями нового типа CAMM2. |
| NAND-память | Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. |
| Создана масштабируемая квантовая память, которая живет больше 2 секунд | Samsung занимается разработкой графической памяти нового типа GDDR6. |
| Компания MMY объявила о расширении линейки серверных модулей памяти | Корейская компания Samsung анонсировала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4, который заменит предыдущее поколение DDR3. |
| Telegram: Contact @F_S_C_P | Модуль памяти самописца Су-24 состоит из 16 микросхем, рассказал Семенов. |